JY14M 40V/200A N Mode Peningkatan Saluran MOSFET Daya Untuk Power Switching

Detail produk:

Tempat asal:	Cina
Nama merek:	JUYI
Sertifikasi:	ISO9001,CE
Nomor model:	JY14M

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order:	50 pcs (sampel tersedia)
Harga:	USD0.5-USD1/PC
Kemasan rincian:	suite untuk ekspor
Waktu pengiriman:	tergantung dari jumlah pesanan / Nego
Syarat-syarat pembayaran:	T / T ,, Serikat Barat, Paypal
Menyediakan kemampuan:	10000 PCS Per Bulan

Kontak

Detil Deskripsi produk

nama:	N Channel Enhancement Mode Power MOSFET	Model NO.:	JY14M
Jenis:	saluran N	Tegangan Sumber Pembuangan:	40V
Tegangan Sumber Gerbang:	±20V	Arus Tiriskan Terus Menerus:	200A (Tc = 25℃)
Arus penguras berdenyut:	720A	Disipasi Daya Maks:	210W
bentuk:	persegi	Warna:	Hitam
Menyoroti:	40V mode penguatan daya mosfet , 200A mode peningkatan daya mosfet , Mengganti mode penguatan daya mosfet

Deskripsi umum:

JY14M memanfaatkan teknik pengolahan parit terbaru untuk mencapai kepadatan sel yang tinggi dan mengurangi resistensi dengan peringkat longsor berulang yang tinggi.Fitur-fitur ini menggabungkan untuk membuat desain ini perangkat yang sangat efisien dan andal untuk digunakan dalam aplikasi power switching dan berbagai aplikasi lainnya.

Fitur:

● 40V/200A, RDS ((ON) = 2,5mΩ@VGS=10V

● Pergantian cepat dan pemulihan tubuh ke belakang

● Tegangan dan arus longsor yang sepenuhnya ditandai

● Paket yang sangat baik untuk disipasi panas yang baik

Aplikasi:

● Mengganti aplikasi

● Sirkuit berfrekuensi tinggi dan berputar keras

● Manajemen Daya untuk Sistem Inverter

PIN Deskripsi:

Nilai maksimal mutlak ((Tc=25°C Kecuali dinyatakan lain):

Simbol	Parameter		Peringkat	Satuan
VDS	Tegangan sumber pembuangan		40	V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang		± 20	V
AkuD	Arus pembuangan terus menerus	Tc=25°C	200	A
AkuD	Arus pembuangan terus menerus	Tc=100°C	130	A
AkuDM	Arus pembuangan pulsa		720	A
PD	Pembuangan Daya Maksimal		210	W
TJTSTG	Jangkauan suhu persimpangan operasi dan penyimpanan		-55 ~ +175	°C
RΘJC	Resistensi termal-Junction untuk kasus		0.65	°C/W
RThJA	Resistensi termal-Junction ke Lingkungan		62	°C/W

TO220-3 Rancangan Paket:

SYMBOL	MM			INCH			SYMBOL	MM			INCH
SYMBOL	MIN	NOM	Maksimal	MIN	NOM	Maksimal	SYMBOL	MIN	NOM	Maksimal	MIN	NOM	Maksimal
A	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
b	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	L	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	250REF.			0.098REF.
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	Q	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.70	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.394	0.401